知识产权布局

2026-11-02 新增受理 一种光刻机成像校准检测晶圆及原位成像校准方法（申请号 2026117105361）。该申请面向 EUV 光刻机的整机自动校准方向：以少量感光单元替代面阵感光芯片，实现原位、无接触、可整体替换的实时成像校准；检测晶圆由静电卡盘吸附于工件台，于多个离焦位置分层解算成像参数偏差并闭环校正（设计目标／技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-11-01 新增受理 一种反射镜同轴开孔微缩成像光学系统及其成像方法（申请号 2026117086962）。该申请面向 EUV 光刻机的末级微缩成像光学方向：以反射镜同轴开孔与双路光束在像面同点叠加的架构，实现工程可落地的超大视场、高数值孔径（第一代 0.68 NA）微缩成像，突破大视场高 NA 末级成像的工程落地瓶颈（设计目标／技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-10-26 新增受理 一种晶圆静电卡盘（申请号 202611653987.6）。该申请面向 EUV 光刻设备的晶圆静电卡盘与无缆磁悬浮工件台方向：以静电吸附结合环形气腔独立控压实现净夹持压力可调，配无缆磁悬浮工件台与相变腔恒温，降低氦耗并维持面形精度，支撑 2 纳米设计指标对夹持与恒温的严苛约束要求（设计目标／技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-10-24 新增受理 一种气体介质密度调控热管理系统及方法（申请号 202611653397.3）。该申请面向 EUV 光刻装备的底层范式级热管理方向：采用封闭静止气隙层气压调制等效换热系数的全新热控原理，实现仓级全域毫开尔文级温度稳定与毫秒级热响应，跳出传统「液冷电加热辅助」技术路线存在的液体泄漏真空污染、电气引线出气与电磁扰动、控温响应时滞、拼接反射镜分区热控工程实现难度大等固有短板，可支撑 6–10nm 光源 EUV 光刻装备对热—形变的极端约束要求（技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-10-23 新增受理 一种双层气氛梯度防护的晶圆制造系统及其工件传输方法（申请号 202611652414.1）。该申请面向下一代 FAB 工厂底座方向：以双层气氛梯度防护的晶圆制造系统与工件传输方法构建洁净制造底座（技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-10-18 重新提交受理 一种双腔功率可控型无电极DPP光源（申请号 202611609303.2）。该申请面向 EUV 光刻机的多气体多波段光源方向：以双腔无电极 DPP 架构实现多气体、多波段曝光光源的功率可控输出，当前工程基线为 EUV 13.5nm 与 BeUV 10.8nm 双波段曝光（设计目标／技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-10-06 新增受理 一种多工件台反向运动抗振解耦光刻工件台系统（申请号 202611542465.9）。该申请面向 EUV 光刻设备的多工件台并行与惯性抗扰方向：多台等重工件台悬浮作业，工艺工位与对冲工位同步反向运动以抵消惯性扰动，工件台与桌面之间作结构解耦以隔离力学与热学扰动，适配 1nm 级成像精度装备（设计目标／技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-09-30 新增受理 一种动态零点自校准双法兰减振器及六轴超精密主动减振系统（申请号 202611531916.9）与 一种高精度反射镜母模板的电子束检测与面形优化方法（申请号 202611540777.6）。前项面向 EUV 光刻设备的超精密隔振与姿态稳定方向，以两级减振架构为整机提供低振动工作基准；后项面向 XUV 多层反射镜母模板的面形检测与优化方向，以无损伤、可迭代的检测—修形闭环提升母模板面形质量。两项均适配无掩膜 EUV 光刻设备（设计目标／技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

2026-09-24 新增受理 一种 XUV 波段平面或曲面多层反射镜模板沉积复制制造方法（申请号 202611506078.X）。该申请面向 XUV 多层反射镜的批量化制造工艺方向，目标显著压缩反射镜的制造周期与成本（设计目标／技术适配方向），以缓解 EUV 光刻机关键光学元件的供给瓶颈。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

除上述发明专利外，项目另就超精密隔振、多工件台抗振解耦与多气体多波段 DPP 光源三个方向同步提交实用新型专利申请：一种动态零点自校准双法兰减振器及六轴超精密主动减振系统（申请号 202621544548.7，申请日 2026-09-30）、一种多工件台反向运动抗振解耦光刻工件台系统（申请号 202621552816.X，申请日 2026-10-06）与 一种双腔功率可控型无电极DPP光源（申请号 202621616142.5，申请日 2026-10-18）。前两项分别与上表第 6 项、第 8 项发明专利构成同名平行申请；末项与上表第 9 项发明专利构成同名平行申请，形成「发明＋实用新型」双类型保护布局（技术适配方向）。依站内保密口径，处于申请阶段的技术方案细节不在本站披露。

数据来源与免责声明：本页专利受理信息依据国家知识产权局专利申请受理通知书整理。 专利法律状态、权利要求范围及最终授权结果，均以国家知识产权局公开信息为准。 本站不对专利授权结果作出任何承诺。